부품 번호 |
EPC2108 |
부품 상태 |
Active |
FET 유형 |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET 기능 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) |
60V, 100V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
1.7A, 500mA |
Rds On (최대) @ Id, Vgs |
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
Vgs (th) (최대) @ Id |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
전력 - 최대 |
- |
작동 온도 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
패키지 / 케이스 |
9-VFBGA |
공급 업체 장치 패키지 |
9-BGA (1.35x1.35) |
무게 |
- |
원산지 |
- |