EPC2108 Descripción detallada
| Número de pieza |
EPC2108 |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Característica FET |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V, 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Potencia - Max |
- |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
9-VFBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
9-BGA (1.35x1.35) |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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