부품 번호 | EPC2107ENGRT |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A, 500mA |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
전력 - 최대 | - |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
공급 업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
무게 | - |
원산지 | - |