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DMN2011UFX-7 - Diodes Incorporated

부품 번호: DMN2011UFX-7
제조사: Diodes Incorporated
간단한 설명: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: DMN2011UFX-7 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 7500 pcs
참고 가격: USD 0.3482/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

DMN2011UFX-7 상세 설명

부품 번호	DMN2011UFX-7
부품 상태	Active
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
FET 기능	Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	12.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	56nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2248pF @ 10V
전력 - 최대	2.1W
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	4-VFDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지	V-DFN2050-4
무게	-
원산지	-

관련 제품 DMN2011UFX-7

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	세부
	DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	세부
	DMN2004DWK	DIODES	DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks	세부
	DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	세부
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	DMN2004VK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	세부