DMN2011UFX-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza	DMN2011UFX-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2248pF @ 10V
Potencia - Max	2.1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	4-VFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	V-DFN2050-4
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	Detalles
DMN2004DWK	DIODES	DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks	Detalles
DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	Detalles
DMN2004DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363	Detalles
DMN2004K	DIODES	DMN2004K DIODES SOT23 New Original Stocks	Detalles
DMN2004K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3	Detalles
DMN2004K-7-F	DIODESINCORPORATED	DMN2004K-7-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	Detalles
DMN2004TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523	Detalles
DMN2004VK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles