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VS-GT400TH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番: VS-GT400TH120N
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明: IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: VS-GT400TH120N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: VS-GT400TH120N.pdf
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - モジュール
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4416 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

VS-GT400TH120N 詳細な説明

品番	VS-GT400TH120N
部品ステータス	Obsolete
IGBTタイプ	Trench
構成	Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	600A
電力 - 最大	2119W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.15V @ 15V, 400A
電流 - コレクタ遮断（最大）	5mA
入力容量（Cies）@ Vce	28.8nF @ 25V
入力	Standard
NTCサーミスタ	No
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤデバイスパッケージ	Double INT-A-PAK
重量	-
原産国	-

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