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VS-FB190SA10 - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番: VS-FB190SA10
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: VS-FB190SA10 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 105 pcs
参考価格: USD 28.94/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

VS-FB190SA10 詳細な説明

品番	VS-FB190SA10
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	190A
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.35V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	250nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	10700pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	568W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6.5 mOhm @ 180A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-227
パッケージ/ケース	SOT-227-4, miniBLOC
重量	-
原産国	-

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