| Número de pieza | VS-FB190SA10 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 190A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.35V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10700pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 180A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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VS-FA38SA50LCP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | Detalles |
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VS-FA40SA50LC | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227 | Detalles |
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VS-FA72SA50LC | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227 | Detalles |
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VS-FB180SA10P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | Detalles |
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VS-FB190SA10 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 | Detalles |
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VS-FC420SA10 | Vishay Semiconductor Diodes Division | POWER MODULE 100V 435A SOT-227 | Detalles |
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VS-FC420SA15 | Vishay Semiconductor Diodes Division | SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227 | Detalles |
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VS-FC80NA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108A | Detalles |
