SQP100P06-9M3L_GE3 - Vishay Siliconix

品番	SQP100P06-9M3L_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	9.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	300nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	12010pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	187W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	SQP100N04-3M6_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB	詳細
	SQP100P06-9M3L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB	詳細