SQP100P06-9M3L_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQP100P06-9M3L_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12010pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	187W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	SQP100N04-3M6_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB	Détails
	SQP100P06-9M3L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB	Détails