SQA470EEJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

品番	SQA470EEJ-T1_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.6V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	5.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	453pF @ 20V
FET機能	-
消費電力（最大）	13.6W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース	PowerPAK® SC-70-6
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	SQA470EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70	詳細
	SQA470EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V POWERPAK SC-70-6	詳細