| 品番 | SQA470EEJ-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 56 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.6V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 453pF @ 20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 13.6W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
SQA470EEJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70 | 詳細 |
|
SQA470EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V POWERPAK SC-70-6 | 詳細 |
