SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SQA470EEJ-T1_GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SQA470EEJ-T1_GE3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
719970 pcs
Referenzpreis
USD 0.22869/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SQA470EEJ-T1_GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 453pF @ 20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 13.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SQA470EEJ-T1_GE3