SQA470EEJ-T1_GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SQA470EEJ-T1_GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
56 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
5.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) |
±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
453pF @ 20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
13.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SC-70-6 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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