• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SIR873DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SIR873DP-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SIR873DP-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
197302 pcs
参考価格
USD 0.8345/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3 詳細な説明

品番 SIR873DP-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 150V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 37A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 47.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 48nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1805pF @ 75V
FET機能 -
消費電力（最大） 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
重量 -
原産国 -

関連製品 SIR873DP-T1-GE3

画像 品番 メーカー 説明 見る
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 詳細
SIR870ADP-T1-RE3 SIR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO 詳細
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 詳細
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO 詳細
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 詳細
SIR872ADP-T1-RE3 SIR872ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8 詳細
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 詳細
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO 詳細
SIR874DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 詳細
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 詳細