SIHH27N60EF-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番	SIHH27N60EF-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	135nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2609pF @ 100V
FET機能	-
消費電力（最大）	202W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-