SIHH27N60EF-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte: SIHH27N60EF-T1-GE3
fabbricante: Vishay Siliconix
Breve descrizione: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 4.00543/pcs
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Numero di parte	SIHH27N60EF-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2609pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	202W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 8 x 8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-