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SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SIHB24N65ET5-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SIHB24N65ET5-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 46847 pcs
参考価格: USD 3.5145/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SIHB24N65ET5-GE3 詳細な説明

品番	SIHB24N65ET5-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	122nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2740pF @ 100V
FET機能	-
消費電力（最大）	250W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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