SIHB24N65ET5-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHB24N65ET5-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2740pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHB24N65E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK	Einzelheiten
SIHB24N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK	Einzelheiten
SIHB24N65EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 24A TO263	Einzelheiten
SIHB24N65ET1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 24A TO263	Einzelheiten
SIHB24N65ET5-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 24A TO263	Einzelheiten