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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SIHA12N60E-E3
SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3 - Vishay Siliconix

品番
SIHA12N60E-E3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SIHA12N60E-E3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
87 pcs
参考価格
USD 2.65/pcs
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SIHA12N60E-E3 詳細な説明

品番 SIHA12N60E-E3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 58nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 937pF @ 100V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 33W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

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