SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SIHA100N60E-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SIHA100N60E-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
29560 pcs
参考価格
USD 5.57/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3 詳細な説明

品番 SIHA100N60E-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 50nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1851pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

関連製品 SIHA100N60E-GE3