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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › SI8902EDB-T2-E1
SI8902EDB-T2-E1

SI8902EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

品番
SI8902EDB-T2-E1
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI8902EDB-T2-E1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
15000 pcs
参考価格
USD 0.8465/pcs
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SI8902EDB-T2-E1 詳細な説明

品番 SI8902EDB-T2-E1
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.9A
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 980µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
電力 - 最大 1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-MICRO FOOT®CSP
サプライヤデバイスパッケージ 6-Micro Foot™
重量 -
原産国 -

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