SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI7615DN-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
15000 pcs
参考価格
USD 0.7238/pcs
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SI7615DN-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI7615DN-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 183nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6000pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.9 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
重量 -
原産国 -

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