品番 | SI7611DN-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 62nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1980pF @ 20V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 9.3A, 10V |
動作温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
重量 | - |
原産国 | - |