| 品番 | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 8V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 680pF @ 4V |
| 電力 - 最大 | 3.12W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SI5920DC | VISHAY | Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | 詳細 |
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SI5920DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | 詳細 |
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SI5920DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | 詳細 |
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SI5922DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET | 詳細 |
