SI5920DC-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI5920DC-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	SI5920DC-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 4V
Potencia - Max	3.12W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor	1206-8 ChipFET™
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI5920DC	VISHAY	Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET	Detalles
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