| 品番 | SI5913DC-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 2.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 84 mOhm @ 3.7A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5913DC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | 詳細 |
|
SI5913DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5913DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5915BDC | VISHAY | Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
|
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5915BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5915DC | VISHAY | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | 詳細 |
|
SI5915DC-E3 | VISHAY | SI5915DC-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI5915DC-T1 | VISHAY | SI5915DC-T1 VISHAY MLP-8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI5915DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 | 詳細 |
