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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SI4620DY-T1-GE3
SI4620DY-T1-GE3

SI4620DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI4620DY-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI4620DY-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
100876 pcs
参考価格
USD 0.268/pcs
私達の価格
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SI4620DY-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI4620DY-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Ta), 7.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 13nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1040pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 35 mOhm @ 6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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