SI4620DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI4620DY-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A (Ta), 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (Max)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI4620DY	VISHAY	SI4620DY VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
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SI4620DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Einzelheiten
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