SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI4434DY-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
12500 pcs
参考価格
USD 1.0662/pcs
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SI4434DY-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI4434DY-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 50nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.56W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 155 mOhm @ 3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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