SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI4434DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12500 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.0662/pcs
Notre prix
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SI4434DY-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI4434DY-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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