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SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SI3529DV-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI3529DV-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4247 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI3529DV-T1-GE3 詳細な説明

品番	SI3529DV-T1-GE3
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N and P-Channel
FET機能	Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.5A, 1.95A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	205pF @ 20V
電力 - 最大	1.4W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ	6-TSOP
重量	-
原産国	-

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