| 品番 | SI1926DL-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 370mA |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18.5pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | 510mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-3 (SOT323) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 | 詳細 |
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