SI1926DL-T1-GE3 Description détaillée
| Numéro d'article |
SI1926DL-T1-GE3 |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
370mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
1.4nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
18.5pF @ 30V |
| Puissance - Max |
510mW |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package de périphérique fournisseur |
SC-70-3 (SOT323) |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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