| 品番 | IRF630STRR |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 43nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 400 mOhm @ 5.4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 詳細 |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 詳細 |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 詳細 |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | 詳細 |
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 詳細 |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 詳細 |
 |
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | 詳細 |
|
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | 詳細 |
|
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | 詳細 |
|
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 詳細 |
