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IRF60B217 - Infineon Technologies

品番: IRF60B217
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 60A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IRF60B217 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: IRF60B217.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 7295 pcs
参考価格: USD 1.76/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IRF60B217 詳細な説明

品番	IRF60B217
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	60A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.7V @ 50µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	66nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2230pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	83W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	9 mOhm @ 36A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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