品番 | TP90H180PS |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 900V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 205 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.6V @ 500µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 10nC @ 8V |
Vgs(最大) | ±18V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 780pF @ 600V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 78W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
重量 | - |
原産国 | - |