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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TP90H180PS
TP90H180PS

TP90H180PS - Transphorm

Artikelnummer
TP90H180PS
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TP90H180PS PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
13777 pcs
Referenzpreis
USD 11.95/pcs
Unser Preis
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TP90H180PS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TP90H180PS
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 205 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 8V
Vgs (Max) ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 600V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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