| 品番 | TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 650V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 8A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.7V @ 8A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 90µA @ 650V |
| 容量Vr、F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2L |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TRS8E65C,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L | 詳細 |
