TRS8E65C,S1Q Description détaillée
| Numéro d'article |
TRS8E65C,S1Q |
| État de la pièce |
Active |
| Type de diode |
Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) |
650V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) |
8A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si |
1.7V @ 8A |
| La vitesse |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) |
0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr |
90µA @ 650V |
| Capacitance @ Vr, F |
44pF @ 650V, 1MHz |
| Type de montage |
Through Hole |
| Paquet / cas |
TO-220-2 |
| Package de périphérique fournisseur |
TO-220-2L |
| Température de fonctionnement - Jonction |
175°C (Max) |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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