| 品番 | TPN8R903NL,LQ |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.3V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 9.8nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 820pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.9 mOhm @ 10A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
TPN8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 20A TSON | 詳細 |
