| 品番 | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 7nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 600pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV | 詳細 |
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TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | 詳細 |
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TPN1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON | 詳細 |
