TPCC8093,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TPCC8093,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	21A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.2V @ 500µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	16nC @ 5V
Vgs（最大）	±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1860pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.9W (Ta), 30W (Tc)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

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