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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TPCC8093,L1Q
TPCC8093,L1Q

TPCC8093,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPCC8093,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPCC8093,L1Q PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
773732 pcs
Referenzpreis
USD 0.2128/pcs
Unser Preis
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TPCC8093,L1Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPCC8093,L1Q
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 21A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.9W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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