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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TPC8014(TE12L,Q,M)
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TPC8014(TE12L,Q,M)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPC8014(TE12L,Q,M) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
TPC8014(TE12L,Q,M).pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3821 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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TPC8014(TE12L,Q,M) 詳細な説明

品番 TPC8014(TE12L,Q,M)
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 39nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1860pF @ 10V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 1W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 14 mOhm @ 5.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
重量 -
原産国 -

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