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TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPC8012-H(TE12L,Q)
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPC8012-H(TE12L,Q) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4025 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPC8012-H(TE12L,Q) 詳細な説明

品番	TPC8012-H(TE12L,Q)
部品ステータス	Discontinued at Digi-Key
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1.8A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	11nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	440pF @ 10V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	400 mOhm @ 900mA, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
重量	-
原産国	-

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