TK3R1P04PL,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TK3R1P04PL,RQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.4V @ 500µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	60nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4670pF @ 20V
FET機能	-
消費電力（最大）	87W (Tc)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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