TK3R1P04PL,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK3R1P04PL,RQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	87W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK3R1A04PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails
TK3R1E04PL,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails
TK3R1P04PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK	Détails