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TK33S10N1Z,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK33S10N1Z,LQ
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK33S10N1Z,LQ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 37177 pcs
参考価格: USD 0.7007/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK33S10N1Z,LQ 詳細な説明

品番	TK33S10N1Z,LQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	33A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 500µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	28nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2050pF @ 10V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	125W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK+
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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