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TK31J60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK31J60W,S1VQ
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK31J60W,S1VQ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 117 pcs
参考価格: USD 9.3/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK31J60W,S1VQ 詳細な説明

品番	TK31J60W,S1VQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	30.8A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.7V @ 1.5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	86nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3000pF @ 300V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	Super Junction
消費電力（最大）	230W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	88 mOhm @ 15.4A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P(N)
パッケージ/ケース	TO-3P-3, SC-65-3
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
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