TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK31J60W,S1VQ
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TK31J60W,S1VQ Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
117 pcs
Prix ​​de référence
USD 9.3/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ Description détaillée

Numéro d'article TK31J60W,S1VQ
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P(N)
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TK31J60W,S1VQ