TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TK12E60W,S1VX
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TK12E60W,S1VX PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
9730 pcs
参考価格
USD 2.7226/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX 詳細な説明

品番 TK12E60W,S1VX
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 600µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 890pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 110W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

関連製品 TK12E60W,S1VX